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富士通电子推出可在高温下稳定运行的新款2Mbi

这款非易掉性内存是高端汽车市场高档驾驶帮助系统(ADAS)的抱负之选

上海,2020年5月11日 – 富士通电子元器件(上海)有限公司近日发布,推出型号为MB85RS2MLY的全新2Mbit FRAM,可在125℃高温度下正常运行。该器件事情电压可低至1.7V至1.95V,配有串行外设接口(SPI)。今朝可为客户供给评测版样品,将在6月实现量产。

这款全新FRAM产品是汽车电子电控单元的最佳选择,满意高端汽车市场对低功耗电子器件的需求,如ADAS。

图1:MB85RS2MLY 8pin DFN 封装

图2:利用实例(ADAS)

FRAM的读/写历久性、写入速率和功耗均优于EEPROM和闪存,已有对传统非易掉性内存机能不知足的客户采纳我们的FRAM。

自2017年以来,富士通电子赓续推出事情电压3.3V或5V的64Kbit~2Mbit的汽车级FRAM产品。但高端汽车电控单元的推出,使得一些客户开始要求FRAM的事情电压低于1.8V。富士通电子近日推出的这款全新FRAM恰是为了满意这一市场需求而面世的。

MB85RS2MLY在-40°C至+125°C温度范围内可以达到10兆次读/写次数,得当某些必要实时数据记录的利用,比如继续10年天天每0.1秒记录一次数据,则写入次数将跨越30亿。别的,这款产品靠得住性测试相符AEC-Q100 Grade 1标准,达到汽车级产品的认证标准。是以,在数据写入历久性和靠得住性方面,富士通电子最新推出的这款FRAM完全支持ADAS等必要实时数据记录的利用。

这款FRAM产品采纳业界标准8-pin SOP封装,可轻松取代现有类似引脚的EEPROM。此外,还供给形状尺寸为5.0mm x 6.0mm x 0.9mm的8-pin DFN(无引线双侧扁平)封装。

图3:8pin DFN和8pin SOP封装

除2Mbit FRAM,富士通电子今朝正在研发125°C温度系列容量为4Mbit的存储产品。富士通电子将继承供给内存产品和办理规划,满意市场和客户的未来需求。

关键规格

•组件型号:MB85RS2MLY

•容量(组态):2 Mbit(256K x 8位)

•接口:SPI(Serial Peripheral Interface)

•运作频率:最高50 MHz

•运作电压:1.7伏特 - 1.95伏特

•运作温度范围:摄氏零下40度 - 摄氏125度

•读∕写耐费用:10兆次 (1013次)

•封装规格:8-pin SOP与8-pin DFN

•认证标准:相符AEC-Q100 Grade 1

词汇与备注

注一:铁电随机存取内存(FRAM)

FRAM是一种采纳铁电质薄膜作为电容器以储存数据的内存,即便在没有电源的环境下仍可保存数据。FRAM结合了ROM和RAM的特点,并拥有高速写入数据、低功耗和高速读/写周期的优点。富士通自1999年即开始临盆FRAM,亦称为FeRAM。

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